RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
77
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2858
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link