RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
77
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2858
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX8GX3M2B1866C10 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link