RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
77
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2398
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link