RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
77
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2700
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link