RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
77
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
42
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2476
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A4G83-18G9JH1C00 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link