RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
77
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
49
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2801
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link