RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
77
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2815
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link