RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
77
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2579
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link