RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
77
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2579
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link