RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2332
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link