RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2608
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link