RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
77
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2702
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link