RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
77
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2888
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link