RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
77
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3125
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSP38G16002 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
A-DATA Technology ADOVF1A083FE 1GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Unigen Corporation LEX010SGD2800QU-EJ 1GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8C
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT12864AA667.Y16F 1GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905471-023.A00LF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link