RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
77
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3157
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link