RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
70
77
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
70
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1923
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link