RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3396
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link