RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
77
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2585
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link