RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
77
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3249
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link