RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
77
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3861
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link