RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
77
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3300
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link