RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3860
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link