RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3299
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link