RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
77
Wokół strony -208% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3541
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link