RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
77
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3017
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link