RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
77
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2962
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Samsung M393B2G70EB0-YK0 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link