RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
4048
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link