RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
77
Wokół strony -208% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3942
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link