RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3158
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link