RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3804
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link