RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
77
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3959
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link