RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
77
Wokół strony -221% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3809
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link