RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
77
Wokół strony -208% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2346
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NJ-CG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link