RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
77
Wokół strony -208% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3377
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
UMAX Technology 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link