RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3164
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link