RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
77
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2924
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link