RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
67
77
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
67
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2027
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link