RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
77
93
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
93
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1670
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link