RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
77
Wokół strony -250% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3132
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Elpida EBJ41HE4BDFA-DJ-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link