RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
77
Wokół strony -250% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2709
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link