RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
77
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3740
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMZ8GX3M2X2133C9 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link