RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3267
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link