RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.2
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2154
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link