RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
77
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2739
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link