RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
77
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2929
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link