RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3637
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link