RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
77
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2148
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link