RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
77
Wokół strony -51% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
51
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2687
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link