RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
77
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
7.7
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
7.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1768
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link