RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
77
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2480
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link