RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
77
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2933
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link