RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
77
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2369
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link